中国的期货市场上周（20250217-0221）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.78%至1.75%NAND：2024年四时度环球NANDFlash商场周围达174.1亿美元，环比省略8.5%，同比增加42.4%。依据DRAMexchange，上周（20250217-0221）NAND颗粒22个品类现货代价环比涨跌幅区间为-2.78%至1.75%，均匀涨跌幅为0.29%。此中10个料号代价持平，9个料号代价上涨，3个料号代价下跌。依据CFM闪存商场报道，因eSSD采购需求显现部门放缓，再叠加搬动和PC运用商场需求的疲软，令四时度NANDFlash的ASP和bit出货量均环比省略。继三季度仅SK海力士显现环比下滑后，正在四时度总共原厂的NANDFlash收入均环比发作分别水平的下滑。

　　DRAM：2024年四时度环球DRAM商场周围293.45亿美元，环比增加13.5%，同比增加66.1%。依据DRAMexchange，上周（20250217-0221）DRAM 18个品类现货代价环比涨跌幅区间为-2.28%至2.36%，均匀涨跌幅为-0.07%。上周7个料号呈上涨趋向，11个料号呈低浸趋向，0个料号代价持平。依据CFM闪存商场报道，AI任事器的热络不断促使对HBM以及高容量DDR5的需求，也促使三星和SK海力士的存储收入创史册新高，然而消费类需求却也显现不断的疲软，导致守旧类DRAM出售收入的下滑。团体来看，2024年四时度DRAMASP环比仍然保留增加，而团体DRAM bit出货量发作环比下滑。

　　半导体暨装备治理计划（DS）部分首席手艺官宋正在赫透露，搭载LPWDRAM内存的首款搬动产物将正在2028年上市。LPWDRAM通过堆叠LPDDRDRAM，大幅增长I/O接口，可省略耗电量并进步功能，采用笔直引线键合的新封装手艺，被誉为“搬动HBM”。其带宽可达200GB/s以上，较现有的LPDDR5x擢升166%。

　　商场端：存储现货行情趋稳，部门资源供应紧俏，低容量嵌入式代价陪同本钱上扬。依据CFM闪存商场报道，因为部门低容量资源供应相对缺少，本钱上扬驱动命令相应的嵌入式产物顺势涨价；渠道商场部门低端资源也显现涨价形象，但受制于需求疲软，渠道SSD代价难以实行跟涨；行业端局部厂商现杀价行动，商场需求无显然转折。团体来看，本周存储现货商场广博支撑安定为主。